SiO/4H-SiC(0001)界面における酸素解離反応の活性化エネルギー

Activation energy of oxygen dissociation reaction in SiO/4H-SiC(0001) interface

大沼 敏治*; 宮下 敦巳; 岩沢 美佐子*; 吉川 正人; 土田 秀一*

Onuma, Toshiharu*; Miyashita, Atsumi; Iwasawa, Misako*; Yoshikawa, Masahito; Tsuchida, Hidekazu*

ワイドギャップ半導体であるSiCはSi同様熱酸化により絶縁膜を作製できるため、次世代のMOS型パワーデバイスとして有望である。しかしSiC/SiO界面においては、Si/SiO界面に比べて界面トラップ密度が高いことや、MOSデバイスのチャンネル移動度が低いことが知られている。このような性能劣化の原因となる欠陥構造の形成過程の解明のためには、SiC/SiO界面の熱酸化過程のメカニズムを明らかにすることが重要であることから、われわれは第一原理分子動力学シミュレーションを用いた界面酸化模擬計算を進めている。界面へ酸素分子を導入して計算を行ったところ、一番目の酸素分子は界面中のSi原子と結合解離し、反応の活性化エネルギーは1.8eVとSiの熱酸化における値とほぼ同じ大きさであった。二番目の酸素分子は界面Si原子と結合・解離し、反応の活性化エネルギーは3.6eVであった。界面Si原子との酸化反応の活性化エネルギーが大きいことから、直接界面Si原子を酸化するよりはSiO層中のSi原子と反応しやすいことがわかる。三番目の酸素分子の解離反応の活性化エネルギーはほぼ0eVであり、酸化が進みダングリングボンドが多数存在すると解離反応が容易に起きることがわかった。

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