H-Si(111)11, Si(111)77表面上のGeドット初期成長過程におけるストレスその場観察

Real-time stress analysis of Ge nanodot growth on H-Si(111)11 and Si(111)77 surfaces

朝岡 秀人  ; 山崎 竜也; 社本 真一  ; Arnoldo, A.*; 末光 眞希*

Asaoka, Hidehito; Yamazaki, Tatsuya; Shamoto, Shinichi; Arnoldo, A.*; Suemitsu, Maki*

Si, Geのヘテロ成長はその格子定数のミスマッチからストレスが発生し、ストレスは電子,ホールの移動度や、ナノドットを生成する成長モードに影響を及ぼす。また成長形態は表面エネルギーと、歪みエネルギーとの相関で決定されるので、表面を水素で終端することにより成長様式を制御できる可能性がある。われわれは原子層オーダーの成長過程でのストレスその場測定に成功し、成長モードの変化に伴う明確なストレスの緩和過程を見いだした。また、水素終端下での成長過程のその場観察を行い、成長形態,ストレスへの検討を行う。

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