(Pb,Si)(Zr,Ti,Nb)O系強誘電体の強誘電特性と平均・局所結晶構造

Ferroelectric performance and average, local crystal structure of (Pb,Si)(Zr,Ti,Nb)O ferrelectric material

Komiya, Shoko*; Idemoto, Yasushi*; Iikubo, Satoshi; Shamoto, Shinichi

ペロブスカイト型酸化物強誘電体PbZrTi $_{1-z}$ O(PZT)は残留分極が大きく、強誘電体メモリー(FeRAM)用キャパシタ材料の中で、最も注目されている物質である。PZTの薄膜試料では(Zr,Ti)サイトのNb置換がさらなる特性の向上をもたらすことが報告されている。そこでNbが多量置換した乾燥ゲル(Pb $_{1-y}$ Si)(ZrTi $_{1-x-z}$ Nb)O(PZTNS)を合成し、局所構造と強誘電特性との関係について検討した。局所構造ではM(Zr,Ti,Nb)-Oの結合距離の増加が見られた。これよりPZTNSは局所的なMO八面体の平坦性が低下していると考えられ、この平坦性の低下が残留分極Prの増加に寄与していると考えられる。また、PZTとPZTNSの局所構造を比較すると、Nb, Sb置換により、M(Zr,Ti,Nb)サイトのピークにシフトが見られることから、AサイトにSiが置換,MサイトにNbが置換していることが示唆される。

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使用言語	:	Japanese
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発表会議名	:	2007年(平成19年)春季第54回応用物理学関係連合講演会
開催年月	:	2007/03
開催都市	:	相模原
開催国	:	日本
キーワード	:	no keyword

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