検索対象:     
報告書番号:
※ 半角英数字
 年 ~ 
 年

Bi-Si-O添加Sr-Ce-Bi-Ta-O系強誘電体酸化物の平均・局所結晶構造と強誘電特性

Relationship between average, local crystal structure, and ferroelectric performances of Bi-Si-O added Sr-Ce-Bi-Ta-O ferroelectric material

谷山 敏*; 井手本 康*; 飯久保 智; 社本 真一  

Taniyama, Satoshi*; Idemoto, Yasushi*; Iikubo, Satoshi; Shamoto, Shinichi

強誘電体物質Sr$$_{1-x}$$Bi$$_{2+x}$$Ta$$_2$$O$$_9$$は強誘電体メモリ材料として期待されているが、残留分極が小さいことが課題とされている。これまでSBTにBi-Si-Oを添加し、さらにSrサイトにCeを置換した試料の強誘電特性とリートベルト解析を用いた結晶構造の関係について検討してきた。今回はPDF解析を用いて局所構造の検討を行い、添加,置換による局所的な歪と強誘電特性の関係を調べた。Bi-Si-Oを添加することにより、金属-酸素間の中で特に(Ta,Si)-O距離の減少が見られたことから、TaO八面体の歪が変化し、残留分極Prの増加に影響を与えたと考えられる。またCe置換することで局所構造においてBi-Oピークが出現した。これは、Srサイトに価数の大きなCeを置換することでO2サイトの酸素欠損が抑制されてBi-Oピークの増大に寄与していることを示唆している。

no abstracts in English

Access

:

- Accesses

InCites™

:

Altmetrics

:

[CLARIVATE ANALYTICS], [WEB OF SCIENCE], [HIGHLY CITED PAPER & CUP LOGO] and [HOT PAPER & FIRE LOGO] are trademarks of Clarivate Analytics, and/or its affiliated company or companies, and used herein by permission and/or license.