Ar+Oプラズマによる酸化タングステン堆積膜の形成と水素挙動

Hydrogen behavior in tungsten oxide layer deposited by Ar + O plasma

永田晋二*; 土屋文*; 藤健太郎*; 四竈樹男*; 井上愛知; 山本春也; 高野勝昌

Nagata, Shinji*; Tsuchiya, Bun*; To, Kentaro*; Shikama, Tatsuo*; Inoue, Aichi; Yamamoto, Shunya; Takano, Katsuyoshi

ArとOの混合ガスを用いたRFマグネトロンスパッタによってSiあるいはSiO $_{2}$ 基板上に作製した酸化タングステン(WO $_{3}$ )薄膜について、膜堆積時の基板温度と元素組成比、あるいは膜中に含まれる水素濃度との関連性を調べた。酸素分圧がArの15分の1以下になると、WO $_{3}$ 薄膜の酸素含有量が急激に減少した。また、WO $_{3}$ 膜堆積時の基板温度が高いほど、膜中の水素濃度は高く、最大H/W=0.8に達した。基板温度が400 $^{circ}$ C以上では、配向性を持ったWO $_{3}$ 薄膜が形成された。このWO $_{3}$ 薄膜にパラジウムを蒸着して水素に暴露すると、光吸収特性が膜中水素濃度と連動して変化した。一方、O/W比が3より小さい堆積膜では、膜中の捕捉水素量が急激に減少し、水素暴露による光吸収特性の変化が起こらなくなった。

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使用言語	:	Japanese
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発行年月	:
発表会議名	:	日本原子力学会2007年春の年会
開催年月	:	2007/03
開催都市	:	名古屋
開催国	:	日本
キーワード	:	no keyword

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使用施設	:	TIARA(イオン照射研究施設)
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受委託・共同研究相手機関	:	東北大学

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