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Siイオンを注入した石英板からの青色発光帯の観測と発光強度のアニール温度依存性

Observation of strong blue light emission from Si nano-crystal produced by ion implantation and annealing

三浦 健太*; 種村 豪*; 花泉 修*; 山本 春也; 高野 勝昌; 杉本 雅樹; 吉川 正人

Miura, Kenta*; Tanemura, Tsuyoshi*; Hanaizumi, Osamu*; Yamamoto, Shunya; Takano, Katsuyoshi; Sugimoto, Masaki; Yoshikawa, Masahito

溶融石英板にSiイオンを注入し、その後アニール処理を行うことでSiナノ結晶を作製した。Siイオンの注入実験は、イオン照射研究施設(TIARA)にて行った。Siイオン照射条件は、エネルギー80keV,照射量1$$times$$10$$^{17}$$ions/cm$$^{2}$$とし、室温で照射した。イオン注入後のアニール処理は、群馬大学内の電気炉により空気中で25分間行った。アニール温度は、1100$$^{circ}$$C, 1150$$^{circ}$$C, 1200$$^{circ}$$Cの3種類とした。これらの試料をHe-Cdレーザ(波長325nm)にて励起し、室温におけるPLスペクトルを測定したところ、すべての試料において、波長400nm付近をピークとする青色発光スペクトルが観測された。今回作製した試料においてはアニール温度1200$$^{circ}$$Cでピーク強度が最大になり、その強度は、アニール温度1100$$^{circ}$$Cの試料でのみ観測される長波長側のピークに対し、約4.2倍であった。この発光は、Siナノクリスタルと溶融石英基板界面の遷移層からの発光であると考えられた。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

2007年(平成19年)春季第54回応用物理学関係連合講演会

開催年月

 :

2007/03

開催都市

 :

相模原

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

 :

PDF

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論文URL

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研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

TIARA(イオン照射研究施設)

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

群馬大学

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