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Sodium void reactivity worth calculations for fast critical assemblies without whole-lattice homogenization

格子均質化を行わない臨界集合体Naボイド反応度の計算

千葉 豪; 島津 洋一郎*

Chiba, Go; Shimazu, Yoichiro*

格子均質化に起因する誤差を排除するため、格子均質化を行わずに臨界集合体のNaボイド反応度を計算する手法を提案する。全炉心非均質臨界集合体体系に対する離散座標法に基づく中性子輸送計算の妥当性をベンチマーク問題の計算を通して確認した。今回提案した手法と核データJENDL-3.3を用いることにより、臨界集合体のNaボイド反応度実験データを3$$sigma$$の実験誤差内で予測することが可能であることを示した。

We propose new procedure to calculate SVRW of critical assemblies without whole-lattice homogenization in order to avoid errors associated with lattice homogenization. A validity of discrete ordinates transport calculations for lattice-heterogeneous critical assemblies is confirmed through benchmark calculations. With the numerical method without lattice homogenization and nuclear data JENDL-3.3, numerical solutions agree with the experimental data within 3$$sigma$$ of the experimental uncertainties.

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パーセンタイル:42.6

分野:Nuclear Science & Technology

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