EPR study of electron-irradiated SiC; Structure determination of intrinsic defects in 4-SiC

EPRによる電子線照射したSiCの研究; 4-SiC中の真性欠陥の構造同定

磯谷順一*; 梅田享英*; 水落憲和*; 片桐雅之*; 大島武; 森下憲雄; 伊藤久義

Isoya, Junichi*; Umeda, Takahide*; Mizuochi, Norikazu*; Katagiri, Masayuki*; Oshima, Takeshi; Morishita, Norio; Ito, Hisayoshi

六方晶炭化ケイ素(4-SiC)中の真性欠陥の構造同定をElectron Paramagnetic Resonance(EPR)により行った。1又は2MeV電子線を室温800 $^{circ}$ Cの範囲で照射し多量の真性欠陥を生成した4-SiCのEPR測定を行うことで、負に帯電したシリコン空孔(V $_{Si}$ $^{-}$ )、正に帯電したヘキサゴナルサイト及びキュービックサイトの炭素空孔(V $_{C}$ $^{+}$ (h)及びV $_{C}$ $^{-}$ (h))、中性のシリコン空孔と炭素空孔の複空孔((V $_{C}$ V $_{Si}$ ) $^{0}$ )及び負に帯電したシリコンサイトの炭素と炭素空孔ペア((C $_{Si}$ V $_{C}$ ) $^{-}$ )の同定に成功した。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	JAEA-Review 2006-042, JAEA Takasaki Annual Report 2005
巻	:
号	:
ページ数	:	P. 15
発行年月	:	2007/02
発表会議名	:
開催年月	:
開催都市	:
開催国	:
キーワード	:	no keyword

特許データ	:
PDF	:

論文URL	:	https://jopss.jaea.go.jp/pdfdata/JAEA-Review-2006-042.pdf
研究データの公開先DOI	:
使用施設	:	電子加速器
広報プレスリリース	:
論文解説記事 (成果普及情報誌)	:
受委託・共同研究相手機関	:	筑波大学

Access	:	- Accesses
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登録番号 : AA20070175
抄録集掲載番号 :
論文投稿番号 : 3771

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