Direct measurement of reconstructed surface stress in Si(111)-77 and Ge(111)-55

Si(111)-77とGe(111)-55再構成表面ストレスの直接観測

朝岡 秀人  ; 山崎 竜也; 社本 真一  

Asaoka, Hidehito; Yamazaki, Tatsuya; Shamoto, Shinichi

異種物質が接合されたヘテロ構造に起因する薄膜ストレスは、ナノドットを作る成長形態の変化をもたらし、ホール伝導度など物性にも影響を及ぼす。現在のナノテクノロジーの進展のためには原子層オーダーのストレス制御が求められている。Siなど半導体最表面に関しては、表面ダングリングボンドの数を減少させるように独自の再構成構造を示すとともに、独自のストレスを示すと考えられているが、われわれはSi(111)77再構成面と、Ge(111)55再構成面に水素終端を行うことによって11バルク構造を作製し、最表面構造違いによるストレスの遷移過程を解析した。

The importance of surface stress as a factor in the surface reconstruction is beginning to be widely recognized in modern nanotechnology. The Si(111)-77 reconstructed surface is well known to be based on the dangling bonds reduction and adatom formation. The surface reconstruction should result in different surface stress from the bulk one, while the reconstruction should be affected directly by the stress. The stress behavior and surface structure were observed simultaneously by using real-time measurement of substrate curvature and reflection high energy electron diffraction (RHEED) methods.