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結晶性固体に対する低エネルギーC$$_{60}$$イオンの衝撃効果

Radiation effect of low-energy C$$_{60}$$ ions on crystalline targets

鳴海 一雅; 楢本 洋*; Lavrentiev, V.*

Narumi, Kazumasa; Naramoto, Hiroshi*; Lavrentiev, V.*

結晶性標的(Si, Co)に対する10-400keV C$$_{60}$$イオンの照射効果を調べた。Co薄膜に対するスパッタリング収量は、300-400keVのC$$_{60}$$を照射した場合、等速のAr, Neイオンのスパッタリング収量に匹敵することがわかり、このことはクラスターイオンのスパッタリング収量が単純に単原子イオンの値を足し合わせたものではないことを示す。一方、10-20keVのC$$_{60}$$イオンをSiに照射した場合、表面から数nmの非常に浅い領域のみが照射による影響を受け、Siのナノ結晶と非晶質層が混在していることがチャネリングを併用したラザフォード後方散乱法と紫外光を用いたラマン分光法による分析から明らかになった。低エネルギーC$$_{60}$$イオンの照射効果は、高いスパッタリング効果と原子配列擾乱効果が主であり、乱れの導入と同時に結晶成長が起こっていることが示唆された。

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