高廣 克己*; 小野 泰治*; 尾崎 孝一*; 川面 澄*; 鳴海 一雅; 境 誠司; 楢本 洋*; 山本 春也; 永田 晋二*
Takahiro, Katsumi*; Ono, Yasuharu*; Ozaki, Koichi*; Kawatsura, Kiyoshi*; Narumi, Kazumasa; Sakai, Seiji; Naramoto, Hiroshi*; Yamamoto, Shunya; Nagata, Shinji*
イオン照射によって炭素材料表面上に形成される周期的リップル構造とイオンビーム誘起非晶質化の相関を明らかにするために、炭素同素体材料である高配向性熱分解黒鉛(HOPG)と単結晶ダイヤモンドについて、法線に対して60
傾いた方向から5-30keVのXe
を2
10
cm
照射し、試料表面をスパッタリングした。その結果、ダイヤモンド表面とHOPG表面ではリップル構造に大きな違いが認められた。また、イオン照射後の光電子分光及びオージェ電子分光スペクトルを計測した結果、炭素の種類によらずほぼ同一のスペクトルが得られた。これらの結果から、リップルの形成には照射前の表面の化学結合状態が関与していることを明らかにした。
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使用言語 |
: | Japanese |
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開催年月 |
: | 2007/06 |
開催都市 |
: | 高崎 |
開催国 |
: | 日本 |
キーワード |
: | no keyword |
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