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$$beta$$-FeSi$$_{2}$$単結晶清浄表面の準備と評価

Preparation and characterization of clean surface of $$beta$$-FeSi$$_{2}$$ single crystal

山田 洋一; 若谷 一平*; 大内 真二*; 山本 博之; 鵜殿 治彦*

Yamada, Yoichi; Wakaya, Ippei*; Ouchi, Shinji*; Yamamoto, Hiroyuki; Udono, Haruhiko*

$$beta$$-FeSi$$_{2}$$薄膜は1.5$$mu$$m帯域で発光し、フォトニック結晶などへの応用が期待される。高品位の$$beta$$-FeSi$$_{2}$$エピタキシャル薄膜成膜用の基板として、よく定義されたバルク単結晶表面が必須であるが、その成長が困難であることからこれまで十分に研究がなされていない。本研究では、高純度$$beta$$-FeSi$$_{2}$$バルク単結晶の表面構造及び組成の評価を行い、清浄表面の準備手法を確立することを目的とした。育成した$$beta$$-FeSi$$_{2}$$(110)単結晶基板の加熱に伴う表面のSi2p XPSスペクトルの変化から、熱処理温度の上昇に伴いSiの酸化成分が減少し、最終的には元素成分のみが残ることが観察された。これと同時に、Feピークの増大,O及びCピークの減少がそれぞれ確認された。このことから850$$^{circ}$$C程度の比較的低温の熱処理により表面酸化物が除去され、清浄表面が得られることがわかった。熱処理後の清浄表面において、明瞭なLEED及びRHEED像が観察された。回折像から、清浄(110)表面のユニットセルはバルクと同一の周期性を持ち、長周期の表面再構成は生じないことが明らかとなった。

Preparation method of well defined $$beta$$-FeSi$$_{2}$$(110) single crystal surface has been investigated.

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