耐放射線性炭化ケイ素(SiC)半導体素子の開発の現状を、金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の
線照射効果及びpn接合ダイオードのイオン照射効果を中心にレビューする。SiC MOSFET開発では、しきい値電圧やチャンネル移動度といった素子特性とゲート酸化膜の作製方法の関係を紹介し、さらには素子特性劣化の原因となる界面準位濃度の評価方法に関して解説する。pn接合ダイオードへのイオン照射効果では、イオン誘起過渡電流評価により得られた電荷収集効率(CCE)と入射イオンの種類、エネルギーの関係を述べる。特に、十数MeV重イオン入射の際に観測されるCCE低下の原因が、高密度の電子-正孔対が発生することで電界が一時的に遮蔽され、その間に電子-正孔対の再結合が発生するためであることを明らかにした成果について紹介する。
no abstracts in English
使用言語 |
: | Japanese |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 55 |
号 |
: | 10 |
ページ数 |
: | p.60 - 64 |
発行年月 |
: | 2007/10 |
キーワード |
: | no keyword |
論文URL |
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使用施設 |
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論文解説記事 |
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受委託・共同研究相手機関 |
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Access |
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Altmetrics |
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