Development of SiC micro tube from PCS by EB irradiation

電子線照射によるPCSからのSiCマイクロチューブの開発

耐熱・耐蝕性に優れた炭化ケイ素(SiC)マイクロチューブは、セラミック前駆体高分子材料であるポリカルボシラン(PCS)の繊維を、電子線照射で表面のみ酸化架橋し、未架橋のPCS繊維内部を溶媒抽出により中空化した後、セラミックスに焼成転換する手法で合成される。この抽出の際、チューブ壁が溶媒により膨潤して変形し、SiCマイクロチューブの強度低下の原因となっていた。この膨潤を抑制するためには、高線量の電子線照射等により架橋率を増大し溶媒耐性を高める必要がある。しかし、溶媒としてシクロヘキサンを用いる従来法では、これを抽出することは困難であった。そこで、この溶媒耐性の高いPCS繊維を抽出可能な条件の探索を行った。その結果、アセトンとシクロヘキサンの混合溶媒により抽出可能であることを初めて見いだした。こうして得られたSiCマイクロチューブは従来法に比べて約5倍の強度を示した。

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発表言語	:	English
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発行年月	:
発表会議名	:	3rd International Symposium on Development of Silicon-based Functional Materials
開催年月	:	2007/11
開催都市	:	Kiryu
開催国	:	Japan
キーワード	:	no keyword

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使用施設	:	電子加速器
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登録番号 : BB20072703
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