Recombination centers in as-grown and electron-irradiated ZnO substrates

成長後及び電子線照射ZnO基板中の再結合中心

Son, N. T.*; Ivanov, G.*; Kuznetsov, A.*; Svensson, B. G.*; Zhao, Q. X.*; Willander, M.*; 森下 憲雄; 大島 武; 伊藤 久義; 磯谷 順一*; Janzn, E.*; Yakimova, R.*

Son, N. T.*; Ivanov, G.*; Kuznetsov, A.*; Svensson, B. G.*; Zhao, Q. X.*; Willander, M.*; Morishita, Norio; Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi; Isoya, Junichi*; Janzn, E.*; Yakimova, R.*

室温にて3MeV電子線照射したZnO中に発生する欠陥をODMR(Optical detection of magnetic resonance)を用いて調べた。その結果、キャリアの再結合中心として働くZn空孔に起因する欠陥及びその他幾つかの空孔型欠陥が観測された(LU1LU6センター)。また、電子線未照射のZnOに関しても併せてODMR測定を行ったところ、電子線照射ZnOで観測された欠陥のうち、Zn空孔及びその他の空孔に起因する欠陥であるLU3及びLU4センターが観測された。このことから、LU3及びLU4センターはキャリア再結合中心として働く真性欠陥であることが結論できた。

Optical detection of magnetic resonance (ODMR) was performed to investigate defects in ZnO irradiated with 3 MeV electrons at room temperature. As a result, the Zn vacancy and some other centers were detected by ODMR. The Zn vacancy and two other centers whish are labeled as LU3 and LU4, were also commonly observed in different types of as-grown ZnO. Therefore, it can be concluded that the both LU3 and LU4 might be related to intrinsic defects, and they act as dominating recombination centers in irradiated and as-grown ZnO.