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Siイオンを注入した石英基板からの青色発光

Blue-light emission from silica substrates implanted Si ions

三浦 健太*; 種村 豪*; 本美 勝史*; 花泉 修*; 山本 春也; 高野 勝昌; 杉本 雅樹; 吉川 正人

Miura, Kenta*; Tanemura, Tsuyoshi*; Hommi, Masashi*; Hanaizumi, Osamu*; Yamamoto, Shunya; Takano, Katsuyoshi; Sugimoto, Masaki; Yoshikawa, Masahito

溶融石英板にSiイオンを注入し、その後アニール処理を行うことでSiナノ結晶を作製した。Siイオンの注入実験は、イオン照射研究施設(TIARA)にて行った。Siイオン照射条件は、エネルギー80keV,照射量1$$times$$10$$^{17}$$ions/cm$$^{2}$$とし、室温で照射を行った。Siイオンを注入した1枚の溶融石英基板(10mm$$times$$10mm$$times$$1mm$$^{t}$$)をダイヤモンドワイヤーソーで4分割し、それぞれ1100$$^{circ}$$C, 1150$$^{circ}$$C, 1200$$^{circ}$$C, 1250$$^{circ}$$Cでアニールを行った。アニール処理は電気炉により空気中で行った。アニール時間はいずれも25分間とした。これら4つの試料をHe-Cdレーザ(波長325nm)にて励起し、室温におけるフォトルミネッセンススペクトルを測定したところ、すべての試料において、波長400nm付近をピークとする青色発光スペクトルが観測された。この波長をピークとする発光は、Siイオンを注入した石英材料からはこれまで観測されていなかった。1150$$^{circ}$$C以上のアニールにより、青色発光ピークのみを発現させることができ、このピーク強度は、アニール温度1200$$^{circ}$$Cで最大となった。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

巻

 :

号

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ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

第18回日本MRS学術シンポジウム

開催年月

 :

2007/12

開催都市

 :

東京

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

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PDF

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論文URL

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研究データの公開先DOI

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使用施設

 :

TIARA(イオン照射研究施設)

広報プレスリリース

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論文解説記事
(成果普及情報誌)

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受委託・共同研究相手機関

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群馬大学

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