Effect of ion beam irradiation for microspores of eggplant ( L.)

ナス( L.)小胞子へのイオンビーム照射の影響

佐伯 由美*; 高田 衣子*; 内村 要介*; 平島 敬太*; 中原 隆夫*; 長谷 純宏; 横田 裕一郎; 田中 淳

Saiki, Yumi*; Takata, Kinuko*; Uchimura, Yosuke*; Hirashima, Keita*; Nakahara, Takao*; Hase, Yoshihiro; Yokota, Yuichiro; Tanaka, Atsushi

ナスの萼や葉柄にあるトゲは、作業時の怪我や果実を損傷する問題があることから、トゲがない品種が望まれている。このため、小胞子培養とイオンビーム突然変異育種を組合せ、トゲのない変異体の早期作出を図った。今回は、ナス系統「AE-P11」( L.)の変異体を効率的に作出するため、その小胞子へのイオンビーム照射線量がカルス形成率に及ぼす影響を調査した。無照射でのカルス形成数に対する各照射線量のカルス形成率は、線量0.5Gyでは91%、1Gyで80%、2Gyで48%、5Gyで12%、10Gyで5%、20Gyで3%と、照射線量が増加するに従ってカルス形成率が低下した。現在、320MeV炭素イオンビームを0.5から20Gy照射した小胞子からカルスが約400個形成し、カルスから倍加半数体を再生中である。今後、これらの再生植物体について、トゲのない変異体を選抜する予定である。

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