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Electrical characteristics of 6H-SiC MOSFETs after high dose irradiation

高線量領域での6H-SiC MOSFETの電気特性

大島 武; 菱木 繁臣*; 岩本 直也; Reshanov, S. A.*; Pensl, G.*; 児島 一聡*; 河野 勝泰*

Oshima, Takeshi; Hishiki, Shigeomi*; Iwamoto, Naoya; Reshanov, S. A.*; Pensl, G.*; Kojima, Kazutoshi*; Kawano, Katsuyasu*

耐放射線性SiC半導体素子の開発の一環として、MGyという高線量域までの$$gamma$$線照射によるSiC金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の特性変化を調べた。p型エピタキシャル六方晶(6H)-SiC上にn-channel MOSFETを作製し、$$gamma$$線照射(室温,無バイアス状態)を行った。ドレイン電流-ドレイン電圧特性の直線領域からチャンネル移動度を見積もったところ、ソース,ドレイン領域作製の際のイオン注入後の熱処理時にカーボン被膜にて表面を保護した試料では、照射前の値が55cm$$^{2}$$/Vsであるのに対し、被覆なしは45cm$$^{2}$$/Vsと小さな値を示した。原子間力顕微鏡によりこれらの試料表面粗さ(R$$_{MS}$$)を調べたところ、被覆有りが0.67nm、被覆なしが1.36nmであった。このことから、エピ膜表面荒れが原因で発生した界面準位によりカーボン被覆なし熱処理試料では有りに比べてチャンネル移動度が小さくなったと考えられる。次に、$$gamma$$線照射後を比較すると、両者とも1MGyまでは変化は見られないが、それ以上の照射により、カーボン被覆なしはチャンネル移動度が低下するのに対し、被覆有りで熱処理を行ったものは、わずかではあるがチャンネル移動度が上昇することが見いだされ、3MGy照射後には65cm$$^{2}$$/Vsとなることが明らかとなった。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Proceedings of the 26th Symposium on Materials Science and Engineering, Research Center of Ion Beam Technology Hosei University

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

p.31 - 34

発行年月

 :

2007/12

発表会議名

 :

第26回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム

開催年月

 :

2007/12

開催都市

 :

小金井

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

コバルト60照射施設

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

産業技術総合研究所

Access

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