EUV光源プラズマの原子モデル構築

Atomic modeling of the plasma EUV sources

佐々木 明; 西原 功修*; 砂原 淳*; 西川 亘*; 小池 文博*; 田沼 肇*

Sasaki, Akira; Nishihara, Katsunobu*; Sunahara, Atsushi*; Nishikawa, Takeshi*; Koike, Fumihiro*; Tanuma, Hajime*

次世代半導体リソグラフィへの応用に要求される波長13.5nm(2%帯域),出力180WのEUV光源を実現するため、理論計算による原子データをもとに衝突輻射モデル(原子モデル)を構築して輻射輸送係数を計算し、流体シミュレーションを行って動作条件の最適化を進めている。EUV光源として用いられるSnプラズマ中で強い発光を起こす遷移を同定し、さらにそれらの波長とスペクトル分布を正確に求めるため、CI(Configuration Interaction)を考慮した理論計算と、電荷交換分光法による実験との比較による波長の校正を行った。これによって、シミュレーションは実験のスペクトルや効率を再現できるようになり、また光源プラズマを低密度化すると、発光スペクトルの幅が狭まり効率の向上が得られる可能性があることがわかった。

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