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Intrinsic ferroelectric instability in Pb(In$$_{1/2}$$Nb$$_{1/2}$$)O$$_{3}$$ revealed by changing B-site randomness; Inelastic X-ray scattering study

Bサイトランダムネスを変えることにより明らかになったPb(In$$_{1/2}$$Nb$$_{1/2}$$)O$$_{3}$$における本質的強誘電不安定性; X線非弾性散乱実験

大和田 謙二; 廣田 和馬*; 寺内 暉*; 福田 竜生  ; 筒井 智嗣*; Baron, A. Q. R.*; 水木 純一郎; 大和 英弘*; 安田 直彦*

Owada, Kenji; Hirota, Kazuma*; Terauchi, Hikaru*; Fukuda, Tatsuo; Tsutsui, Satoshi*; Baron, A. Q. R.*; Mizuki, Junichiro; Owa, Hidehiro*; Yasuda, Naohiko*

Pb(In$$_{1/2}$$Nb$$_{1/2}$$)O$$_{3}$$は、Bサイトのランダムネスの効果により反強誘電から強誘電リラクサーまで幅広い状態を取りうる。われわれは基底状態がBサイトランダムネスの影響で大きく変わることについての理由を探るべく、高分解能X線非弾性散乱を用いてBサイトランダムネスとフォノンの関係を調べた結果、反強誘電領域においても強い強誘電ソフトモードが存在することを明らかにし、次のようなストーリーを提案した。PINにおいては反強誘電不安定性と強誘電不安定性が共存しており、perfectly ordered PINの場合反強誘電不安定性が優勢となっている。そこに、Bサイトランダムネスが導入されると反強誘電不安定性が真っ先に抑制される。一方、強誘電不安定性はランダムネスの影響を受けにくいため、Bサイトランダムネスが導入されても強誘電不安定性は残り、そこで初めて強誘電性が顔を出す。しかし、Bサイトが完全無秩序の場合は長距離秩序に至らないため、ナノスケール強誘電領域にとどまりリラクサー状態が発現する。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

Fundamental Physics of Ferroelectrics 2008 (Ferro 2008)

開催年月

 :

2008/02

開催都市

 :

Williamsburg

開催国

 :

U.S.A.

キーワード

 :

no keyword

特許データ

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PDF

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論文URL

 :

研究データの公開先DOI

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使用施設

 :

SPring-8(大型放射光施設)

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

理化学研究所播磨研究所; 東京大学物性研究所; 関西学院大学; 岐阜大学; 高輝度光科学研究センター

Access

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