高速クラスターイオン照射によるSSDの波高欠損

MeV-energy-cluster-ion-induced pulse height defect in a solid state detector (SSD)

齋藤 勇一; 千葉 敦也; 阿達 正浩; 鳴海 一雅

Saito, Yuichi; Chiba, Atsuya; Adachi, Masahiro; Narumi, Kazumasa

高速クラスターイオンが標的に作用するメカニズムの研究の一環として、イオンのエネルギーをSSD検出器で測定する際に、同一エネルギーのヘリウムイオン(He)に対する検出波高との差として見られる波高欠損を、タンデム加速器で加速したモリブデン(Mo)と、同じ質量のC8イオンについて測定し比較した。この結果、HeのSSD波高に対して、加速エネルギー5MeVのとき、C8が8割、Moが7割程度の波高となり、単原子であるMoのほうが、波高欠損が大きくなることを明らかにした。波高欠損の大きさは、SSD中の電離密度の大きさに関係しており、単原子イオンのほうが標的中に高密度電離を誘発していることが示唆された。これまでの実験で、2次イオン放出量は、MoよりもC8のほうが多いことが確かめられていることから、単原子イオンと比較してクラスターイオンは、塊でいる標的表面で大きな相互作用をして、ばらばらになった内部では電離密度が小さい緩やかな作用をすると考えられる。

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