Hexagonal BCN films prepared by RF plasma-enhanced CVD

高周波プラズマ誘起CVD法により合成した六方晶BCN薄膜について

Mannan, M. A.*; 永野 正光*; 平尾 法恵*; 馬場 祐治  

Mannan, M. A.*; Nagano, Masamitsu*; Hirao, Norie*; Baba, Yuji

高周波プラズマ誘起化学蒸着法によりシリコン単結晶基板表面に六方晶構造を持つホウ素-炭素-窒素化合物の薄膜を合成し、その構造を調べた。蒸着の原料物質としては、ホウ素,炭素,窒素原子を含む有機分子であるトリスジメチルアミノボランを用いた。X線光電子分光法及びフーリエ変換赤外分光法の結果から、合成したBCN薄膜はB-C-N間にsp混成軌道を持つことがわかった。また、直線偏光した放射光を用いたX線吸収端微細構造スペクトルの入射角依存性から、BCN薄膜はシリコン基板に対して、一定の角度に配向していることがわかった。

Hexagonal boron carbonitride (h-BCN) films have been synthesized on silicon (100) substrate by radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition from tris(dimethylamino)-borane (TDMAB) as a precursor. X-ray photoelectron spectroscopy and Fourier transform infrared spectroscopy revealed that the film with a composition of BCN had sp B-C-N atomic hybridization. Near edge X-ray absorption fine structure suggested that the local structure of BCN showed different atomic orientation to the substrate.