The Role of ion track structure on high-injection carrier dynamics in high-speed Si and III-V optoelectronic sensers

Si及びIII-V化合物半導体の高速光エレクトロニクスセンサーに誘起されるイオントラック構造が高注入キャリアの動的挙動に果たす役割

Laird, J. S.*; 小野田 忍; 平尾 敏雄; Edmonds, L.*; 大島 武

Laird, J. S.*; Onoda, Shinobu; Hirao, Toshio; Edmonds, L.*; Oshima, Takeshi

集束レーザービーム及び集束イオンビームを高速GaAs --フォトダイオードに照射し、その際にデバイス中に誘起される高注入キャリアの挙動を過渡電流により調べた。また、高速Si --フォトダイオードに対しても同様の実験を行った。レーザーとさまざまなエネルギーのイオンを利用し、異なる密度のイオントラックをデバイス中に形成することで、イオントラック密度と過渡電流の関係を調べた。その結果、光を吸収する領域であるエピタキシャル層が厚いSiフォトダイオードと異なり、光吸収層が薄いIII-V族半導体フォトダイオードは、過渡電流の遅延を引き起こす空間電荷効果の影響が小さくなることがわかった。このことから、エピタキシャル層の薄いデバイスでは、厚いデバイスと比較して、イオントラック構造が過渡電流に及ぼす影響が相対的に小さくなると結論できる。

no abstracts in English