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酸化タングステン膜の光学特性におよぼす水素イオン注入の影響

Effects of hydrogen implantation on optical properties of tungsten oxide films

井上 愛知; 藤田 遥*; 山本 春也; 永田 晋二*; 吉川 正人; 四竈 樹男*

Inoue, Aichi; Fujita, Haruka*; Yamamoto, Shunya; Nagata, Shinji*; Yoshikawa, Masahito; Shikama, Tatsuo*

水素解離触媒を担持した三酸化タングステン(WO$$_{3}$$)薄膜を水素に曝すと、解離した水素原子がWO$$_{3}$$内部へ侵入し、W原子の価数が変化することで、濃青に着色することがわかっている。そこで、今回は、WO$$_{3}$$膜中に水素をイオン注入する手法を用いて、侵入する水素量と着色の関係を定量的に調べた。試料として、SiO$$_{2}$$基板上に形成した非晶質WO$$_{3}$$膜(300nm)を用いたが、表面に50nmの金属タングステンを堆積させ、10keVのH$$_{2}$$$$^{+}$$イオン注入時のダメージを低減させ、3$$times$$10$$^{17}$$ions/cm$$^{2}$$まで照射した。その結果、5$$times$$10$$^{16}$$ions/cm$$^{2}$$までは、照射量の増加とともに波長650nmの吸光係数が線形的に増加したが、それ以上では飽和し、約4$$mu$$m$$^{-1}$$で留まった。このときの膜中水素濃度を反跳粒子検出法(ERDA)で定量したところ、吸光係数が飽和するには約0.2H/Wの水素侵入が必要であること、膜中水素濃度が約0.4H/Wまで増加しても吸光係数が変化しないことがわかった。このことから、着色に関与しない水素の侵入過程があると予想された。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

2008年(平成20年)春季第55回応用物理学関係連合講演会

開催年月

 :

2008/03

開催都市

 :

船橋

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

 :

PDF

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論文URL

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研究データの公開先DOI

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使用施設

 :

TIARA(イオン照射研究施設)

広報プレスリリース

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論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

東北大学

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