Vacancy defects in electron-irradiated ZnO studied by Doppler broadening of annihilation radiation

陽電子消滅ドップラー拡がり法による電子線照射した酸化亜鉛中の空孔型欠陥の研究

Chen, Z. Q.*; 別役 潔*; 河裾 厚男

Chen, Z. Q.*; Betsuyaku, Kiyoshi*; Kawasuso, Atsuo

陽電子消滅ドップラー拡がり測定及び局所密度近似による第一原理計算を用いて、電子線照射した酸化亜鉛中の空孔欠陥を評価した。照射直後は亜鉛空孔が陽電子捕獲中心として作用することが明らかになった。亜鉛空孔は200C以下の熱処理により消失するが、400Cの熱処理でこれとは別の二次欠陥が生成することが見いだされた。詳細な理論計算との照合の結果、これは酸素空孔が変態して生じた亜鉛空孔とアンチサイト亜鉛の複合欠陥であることが解明された。

Vacancy defects in ZnO induced by electron irradiation were characterized by the Doppler broadening of annihilation radiation measurements together with the local density approximation calculations. Zinc vacancies () are responsible for positron trapping in the as-irradiated state. These are annealed out below 200C. The further annealing at 400C results in the formation of secondary defects attributed to the complexes composed of zinc vacancies and zinc antisites (-Zn).