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In situ irradiation and measurement of triple junction solar cells at Low Intensity, Low Temperature (LILT) conditions

低温,低出力太陽光照射条件下における三接合太陽電池の同時照射測定

Harris, R. D.*; 今泉 充*; Walters, R. J.*; Lorentzen, J. R.*; Messenger, S. R.*; Tischler, J. G.*; 大島 武; 佐藤 真一郎; Sharps, R. P.*; Fatemi, N. S.*

Harris, R. D.*; Imaizumi, Mitsuru*; Walters, R. J.*; Lorentzen, J. R.*; Messenger, S. R.*; Tischler, J. G.*; Oshima, Takeshi; Sato, Shinichiro; Sharps, R. P.*; Fatemi, N. S.*

深宇宙のミッション太陽電池パネルを搭載した人工衛星による地球より深宇宙でのミッションの可能性を調べるため、低温下,低出力太陽光照射条件下におけるInGaP/GaAs/Ge三接合太陽電池の、高エネルギー電子線及び陽子線照射による電気特性の劣化実験を行った。太陽電池の電気特性は、同時照射測定によりその場で測定し、4つの重要な発電特性である短絡電流,開放電圧,最大出力,曲線因子(FF)を調べた。また、照射の前後で量子効率を測定することで、発電に寄与する光波長に関する情報も得た。実験の結果、低温照射実験では室温アニールによる電気特性の回復がみられる場合があることが判明し、深宇宙のミッションにおける太陽電池の発電予測には回復も考慮する必要があることが判明した。

The performance of triple junction InGaP/GaAs/Ge solar cells have been studied following low temperature irradiation while using low intensity illumination. High energy electron and proton irradiations have been performed with cell characterization carried out in situ at the irradiation temperature with no intermediate temperature changes. As such, these conditions reflect those found for deep space, solar powered missions that are far from the sun. Cell characterization consisted of I-V measurements which permitted the extraction of the four principle solar cell parameters: short circuit current, open circuit voltage, maximum power, and fill factor. In addition, quantum efficiency measurements were made prior to and following the irradiations. The low temperature irradiations were followed by a room temperature anneal to determine if any subsequent recovery was present.

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パーセンタイル:49.21

分野:Engineering, Electrical & Electronic

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