前駆体の溶出による炭化珪素膜のガス透過量の向上

Gas permeation property of SiC membranes prepared by a dissoution of a precursor film after a coating

武山 昭憲; 杉本 雅樹; 吉川 正人

Takeyama, Akinori; Sugimoto, Masaki; Yoshikawa, Masahito

多孔質アルミナ管表面に炭化珪素(SiC)前駆体をコーティングし、溶媒に浸した後、焼成してSiC緩衝層を形成した。続いてこの緩衝層上にSiC薄膜を形成し、水素透過膜を作製した。溶媒に浸さずに形成した緩衝層を用いた場合、250Cにおける水素透過膜の分離比(水素/窒素比)は4.2であったが、溶媒に浸した緩衝層を用いると最大7.2の分離比が得られ、また水素透過量も増加することがわかった。

Hydrogen separation membrane consisted of Silicon Carbide(SiC) thin fim and a SiC intermediate layer was prepared. The intermediate layer was deposited on a porous alumina support by a pylorisis after a coating of the SiC precursor film, an immersion of the film in a solvent and a curing. Maximum hydrogen permeanse and selectivity of the membrane with the "immersed" intermediate layer at 523.15 K was larger than that of the membrane with "un-immersed" layer.