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薄膜を透過したC$$_{2}$$$$^{+}$$解離イオンの平均電荷の入射配向依存性

Incident angle dependence of average charge of C$$_{2}$$$$^{+}$$ fragment ions emerging from a thin carbon foil

千葉 敦也; 齋藤 勇一; 鳴海 一雅; 山田 圭介; 高橋 康之

Chiba, Atsuya; Saito, Yuichi; Narumi, Kazumasa; Yamada, Keisuke; Takahashi, Yasuyuki

MeV領域のエネルギーを持つ重イオンクラスターと物質との衝突反応機構を解明するため、薄膜を透過したクラスター解離イオンの電荷と薄膜入射時のクラスター構成イオンの空間配置との関係を調べている。今回は、炭素膜(1$$mu$$g/cm$$^{2}$$)を透過したC$$_{2}$$$$^{+}$$(3MeV/atom)の解離イオンの発散角と電荷の同時測定を行った。解離イオンの電荷の組合せごとに発散角強度分布から膜内での解離前の励起分布や解離イオンの平均電荷及び散乱断面積を求めてC$$_{2}$$$$^{+}$$の入射配向に対する解離イオンの軌道を計算し、発散角と入射配向の相関を得た。実験で得られた解離イオンの電荷と発散角の関係から電荷の入射配向依存性を調べた結果、入射配向が膜面に対して鋭角なほど膜を透過した解離イオンの平均電荷は大きくなる傾向にあることがわかった。

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