電子線照射により生じるAl-doped 4H-SiCのC原子変位によるアクセプタ密度減少の検証

Verification of reduction in acceptor density due to displacement of C in Al-doped 4H-SiC by electron irradiation

西野 公三*; 蓑原 伸正*; 松浦 秀治*; 大島 武

Nishino, Kozo*; Minohara, Nobumasa*; Matsuura, Hideharu*; Oshima, Takeshi

低エネルギー電子線照射による「はじき出し損傷」に起因する炭化ケイ素(SiC)のキャリア濃度減少効果に関して考察を行うため、100keV又は200keVの電子線をAl添加p型六方晶(4H)SiCへ照射し、ホール係数測定によりキャリア濃度を調べた。その結果、100keV電子線照射では、キャリア濃度は温度依存性を含めて未照射のものと差異はないが、200keV電子線照射では、照射量の増加とともにキャリア濃度が減少していくことが見いだされた。SiC中の各原子のはじき出しのしきい値エネルギーを見積もったところ、100keVではSiCのシリコン(Si),炭素(C)ともにしきい値エネルギー以下であり変位は発生しないが、200keVではCのみがはじき出されることが明らかとなった。このことから、100keV電子線照射では原子の変位が発生せずキャリア濃度が変化しなかったが、200keV電子線照射ではC原子のはじき出しによりキャリア濃度が減少したと結論できた。

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