前加工状態の違いによるエピタキシャル膜への影響

Influence on the epitaxial film by different pre-processing

堀田 和利*; 鎌田 透*; 河田 研治*; 江龍 修*; 大島 武

Hotta, Kazutoshi*; Kamada, Toru*; Kawata, Kenji*; Eryu, Osamu*; Oshima, Takeshi

炭化ケイ素(SiC)基板の表面加工状態がエピタキシャル成長後の結晶表面に及ぼす影響を明らかにするため、加工状態の異なる2インチn型4H-SiC基板を作製し、これらの基板上にp型の4H-SiCエピタキシャル膜を化学気相法(CVD)により成長させた。エピタキシャル膜成長前後の表面状態を原子間力顕微鏡(AFM)と微分干渉顕微鏡を用いて評価したところ、エピタキシャル膜の表面に基板の加工欠陥が原因で発生したと考えられるキャロット等の特有の欠陥が観察されることが明らかとなった。以上の結果より、エピタキシャル成長前の加工状態はエピタキシャル膜成長後も引き継がれ、加工キズ等はエピタキシャル膜の品質に強い影響を与えると結論できた。

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