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Pulsed EPR studies of the T$$_{V2a}$$ center in 4$$H$$-SiC

パルスEPRを用いた4$$H$$-SiC中のT$$_{V2a}$$センターの研究

磯谷 順一*; 梅田 享英*; 水落 憲和*; 大島 武

Isoya, Junichi*; Umeda, Takahide*; Mizuochi, Norikazu*; Oshima, Takeshi

炭化ケイ素(SiC)半導体中の真性欠陥の同定に関する研究の一環として、六方晶(4$$H$$)SiC中のT$$_{V2a}$$センターに関してパルス電子常磁性共鳴(EPR)を用いて調べた。T$$_{V2a}$$はS=3/2、C$$_{3V}$$対称を持つセンターであり、これまで負に帯電したSi空孔欠陥(V$$_{Si}$$$$^{-}$$)であると考えられていた。MeV級電子線を10$$^{18}$$/cm$$^{2}$$程度照射することでT$$_{V2a}$$センターを大量に導入したn型4$$H$$-SiCを用いて、最近接及び第二近接の$$^{29}$$Siの超微細相互作用を考慮したEPR及びパルスEPR、さらに、パルス電子核二重共鳴(ENDOR)測定等を用いることで、T$$_{V2a}$$が、従来考えられていた単純なV$$_{Si}$$$$^{-}$$ではなく、V$$_{Si}$$$$^{-}$$と第二近接元素が複合した欠陥であることを見いだした。

To indentify intrinsic defects in silicon carbide (SiC), a T$$_{V2a}$$ center in 4$$H$$-SiC was investigated using pulsed electron paramagnetic resonance (EPR). The T$$_{V2a}$$ is a center with S=3/2 and C$$_{3V}$$ symmetry, and in previous studies, the origin of the T$$_{V2a}$$ is thought to be a defects of negatively charged Si vacancy (V$$_{Si}$$$$^{-}$$). In this study, T$$_{V2a}$$ centers were introduced in n-type 4$$H$$-SiC samples by MeV range electron irradiation at 10$$^{18}$$ /cm$$^{2}$$. As a result of EPR, pulsed EPR and ENDOR measurements, the origin of the T$$_{V2a}$$center can be identified to be not a simple V$$_{Si}$$$$^{-}$$ defect but the complex between V$$_{Si}$$$$^{-}$$ with Next Nearest Neighbors.

発表言語

 :

English

掲載資料名

 :

Materials Science Forum

巻

 :

615-617

号

 :

ページ数

 :

p.353 - 356

発行年月

 :

2009/00

発表会議名

 :

7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2008)

開催年月

 :

2008/09

開催都市

 :

Barcelona

開催国

 :

Spain

キーワード

 :

no keyword

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

研究データの公開先DOI

 :

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使用施設

 :

電子加速器

広報プレスリリース

 :

論文解説
(JAEA R&D Navigator)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

筑波大学

Access

 :

- Accesses

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 :

Altmetrics

 :

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