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Cu$$_{3}$$N薄膜のイオン照射効果と相分離

Ion irradiation effects on Cu$$_{3}$$N films and phase separation

松波 紀明*; 垣内田 洋*; 田沢 真人*; 左高 正雄; 岡安 悟  ; 須貝 宏行

Matsunami, Noriaki*; Kakiuchida, Hiroshi*; Tazawa, Masato*; Sataka, Masao; Okayasu, Satoru; Sugai, Hiroyuki

原子力科学研究所タンデム加速器から得られるイオンによる酸化物・窒化物の電子・原子構造改質について研究しているが、本講演ではCu$$_{3}$$N窒化物薄膜のイオン照射による物性改質について述べる。また、これまでに得られた酸化物の結果との比較を行う。Cu$$_{3}$$試料はAl$$_{2}$$O$$_{3}$$基板(R面)上にNRF-マグネトロンスパッタにより作成した。膜厚は200nm程度である。100keV Neイオン照射の結果、以下のことを明らかにした。第一に、未照射時の比抵抗(約20$$Omega$$cm)が照射量10$$^{14}$$cm$$^{2}$$にて3桁小さくなる。未照射試料の比抵抗は温度(80-290K)とともに減少し、半導体的特性を示す。照射後の比抵抗の温度依存性は温度とともにわずかに減少した。第二に、光学吸収スペクトルから未照射試料のバンドギャップとして2eVを得た。イオン照射後、吸収端スペクトルはなだらかになった。第三に、照射量10$$^{14}$$cm$$^{2}$$にて(100)面X線回折強度は2桁減少した。第四に、照射量をさらに10$$^{16}$$cm$$^{2}$$に増やすと比抵抗はさらに2桁減少し、この場合の比抵抗は温度とともにわずかに増加するすなわち金属的特性を示した。さらに、X線回折パターンにCu金属の回折ピークが現れた。高照射量でのこれらの結果は、Cu$$_{3}$$Nが相分離をおこしていることを示唆する。低照射量領域での相分離の可能性,高エネルギーイオン照射との比較を行う。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

巻

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号

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ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

日本物理学会2008年秋季大会(物性)

開催年月

 :

2008/09

開催都市

 :

盛岡

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

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PDF

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論文URL

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研究データの公開先DOI

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使用施設

 :

タンデム加速器  

広報プレスリリース

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論文解説記事
(成果普及情報誌)

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受委託・共同研究相手機関

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名古屋大学

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