Averaged LET spectra for SEE rate prediction for power devices

パワーデバイスのSEEレート予測のための平均LETスペクトル

久保山 智司*; 池田 直美*; 佐藤 洋平*; 平尾 敏雄; 田村 高志*

Kuboyama, Satoshi*; Ikeda, Naomi*; Sato, Yohei*; Hirao, Toshio; Tamura, Takashi*

シングルイベント耐性の評価パラメータとして、従来は表面LET(線エネルギー付与)が用いられているが、感応領域の厚いパワーデバイスにおいては、感応領域を通過中に入射イオンのLETが大きく変化するため、表面LETをパラメータとした評価は適当ではない。そこで、本研究ではパワーデバイスのシングルイベント耐性の評価方法として、感応領域内での平均LETを用いた手法を提案した。これは、シミュレーション(CREME96)で得られるLETスペクトラムから、そのデバイス感応領域における平均LET値を算出し、宇宙環境におけるシングルイベント発生率を計算する方法である。本研究では、Ni, Y, Xeを用いた評価試験の結果からパワー金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)のシングルイベントゲートラプチャー(SEGR)発生率を見積った。その結果、MOSFETの偶発故障率をやや下回る程度の妥当な数値が得られることがわかった。

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