第一原理分子動力学法による $rm SiO_{2}/SiC$ 界面の大規模数値解析

Large scale simulation of the $rm SiO_{2}/SiC$ interface using first-principles molecular dynamics method

Miyashita, Atsumi; Onuma, Toshiharu*; Iwasawa, Misako*; Tsuchida, Hidekazu*; Yoshikawa, Masahito

Siに比べ優れた物理特性を持つSiCを基板に用いたSiC-MOSFETは、従来のSi半導体デバイスでは動作が困難な極限環境下で用いられる素子として期待されている。しかしSiCと酸化膜の界面には、SiC-MOSFETのデバイス特性を劣化させる原因である界面欠陥が多く存在しており、欠陥の原子構造とデバイス特性との関連性を追求することは非常に重要な問題となっている。本研究では実際のデバイスの酸化膜界面を模擬するようなアモルファス $rm SiO_{2}/SiC$ 界面を計算機上に構築して、その原子構造を解析することで、電子状態が界面電気特性に与える影響を追求している。1017原子界面構造モデル(加熱・急冷時693原子)に対して、4000K3psの固定終端加熱,終端解放後、3500K2psの継続加熱、-2000K/psで室温までの急冷を行った。生成したSiO $_{2}$ 層の動径分布関数を評価した所、Si-O結合距離は0.165nm、Si-O-Si結合角は135deg、O-Si-O結合角は109degと得られ、かつ、局所密度分布からも良好なアモルファス特性を示していることが確かめられた。

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発表言語	:	Japanese
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発表会議名	:	第3回高崎量子応用研究シンポジウム
開催年月	:	2008/10
開催都市	:	高崎
開催国	:	日本
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受委託・共同研究相手機関	:	電力中央研究所

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第一原理分子動力学法による界面の大規模数値解析

Large scale simulation of the interface using first-principles molecular dynamics method

第一原理分子動力学法による $rm SiO_{2}/SiC$ 界面の大規模数値解析

Large scale simulation of the $rm SiO_{2}/SiC$ interface using first-principles molecular dynamics method