380 keV proton irradiation effects on photoluminescence of Eu-doped GaN

Eu添加したGaNのフォトルミネッセンス特性に及ぼす380keV陽子線照射効果

岡田 浩*; 中西 康夫*; 若原 昭浩*; 吉田 明*; 大島 武

Okada, Hiroshi*; Nakanishi, Yasuo*; Wakahara, Akihiro*; Yoshida, Akira*; Oshima, Takeshi

耐放射線性の発光素子開発の一環として、陽子線照射により損傷を導入した無添加及びユーロピウム(Eu)添加窒化ガリウム(GaN)のフォトルミネッセンス特性を調べた。室温にて380keV陽子線を110/cmまで照射した後、室温にてフォトルミネッセンスを測定した。その結果、無添加のGaNでは110/cm照射後にはバンド端の発光が著しく減少することが判明した。一方、Eu添加GaNは110/cm照射後もEuのDF内殻遷移に起因する発光が初期発光と同程度維持され、優れた耐放射線性を示すことが明らかとなった。

To develop light emitting devices with radiation hardness, photoluminescence properties of non- and Eu-doped GaN after proton irradiation were investigated. The samples were irradiated with protons at 380 keV up to 110/cm at room temperature RT. The photoluminescence properties for the samples were measured at RT. As a results, the luminescence properties for non-doped GaN much decrease due to irradiation at 110/cm. On the other hand, for Eu-doped GaN, the luminescence properties that correspond to the transition did not show any degradation after irradiation at 110/cm.