Al(111)表面における超音速Nビームによる極薄AlN膜形成

Ultra thin AlN layer formation at Al(111) surface by supersonic N beams

寺岡 有殿; 吉越 章隆 

Teraoka, Yuden; Yoshigoe, Akitaka

超音速N分子線を用いて473KでAl(111)表面を直接窒化した。並進運動エネルギーしきい値は1.8eVであった。2.0eVでは窒素の吸着曲線は直線を示した。これは吸着阻害層が形成されないことを示唆している。Al2p光電子スペクトルが高結合エネルギー側にわずかな化学シフトの肩構造を示したことから、AlN層にはサブ窒化成分が含まれていると考えられる。

The Al(111) surface has been directly nitrided by supersonic N molecular beams at 473 K. A translational kinetic energy threshold of the nitridation was 1.8 eV. A nitrogen uptake curve obtained at the translational energy of 2.0 eV showed a linear profile with the nitrogen dose indicating non-protective layer formation. Al-2p photoemission spectra were involved a merely-shifted shoulder structure in the higher binding energy side so that sub-nitride components were included in the AlN overlayer.