SiO/Si(001)界面の炭素原子によるSi酸化反応機構への影響

Effects for Si oxidation mechanisms by carbon atoms in the SiO/Si(001) interface

穂積 英彬*; 小川 修一*; 吉越 章隆 ; 石塚 眞治*; 寺岡 有殿; 高桑 雄二*

Hozumi, Hideaki*; Ogawa, Shuichi*; Yoshigoe, Akitaka; Ishizuka, Shinji*; Teraoka, Yuden; Takakuwa, Yuji*

Si酸化反応に対する基板歪みの影響を調べるために、エチレン暴露により形成したSiC層の酸化反応過程をリアルタイムXPSを用いて観察した。実験はSPring-8のBL23SUの表面化学反応解析装置にて行った。SiC層の酸化速度は、清浄表面と比較して顕著に増加した。また、炭素原子はCO, COとして脱離せず、基板内部へ拡散することが示唆された。これらの結果を「点欠陥発生を介した統合Si酸化反応モデル」を用いて一貫して説明できることを明らかとした。

The oxidation kinetics of SiC layer prepared with CH exposure was observed by real-time XPS to investigate effects of substrate stress due to displacement of hetero atom on a p-type Si(001) surface. Experiments were performed using the surface reaction analysis apparatus placed at the BL23SU of SPring-8. Oxidation rate on the SiC layer was larger than that of a clean surface. It was found that carbon atoms diffused into substrate without CO or CO desorption during oxidation. Furthermore "an unified Si oxidation reaction model mediated by point defect generation" could explain these results with correlation.