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高速炭素クラスターイオン衝突による非晶質炭素薄膜からの二次電子放出

Secondary electron emission from amorphous carbon foils by impact of swift carbon cluster ions

高橋 康之; 鳴海 一雅; 千葉 敦也; 齋藤 勇一; 山田 圭介; 石川 法人   ; 須貝 宏行; 前田 佳均

Takahashi, Yasuyuki; Narumi, Kazumasa; Chiba, Atsuya; Saito, Yuichi; Yamada, Keisuke; Ishikawa, Norito; Sugai, Hiroyuki; Maeda, Yoshihito

0.75$$sim$$3.0MeV/atom(1.6v$$_{0}$$-3.2v$$_{0}$$)のC$$_{n}$$$$^{+}$$(n=2,3,4)をビーム軸に対して45$$^{circ}$$傾斜した膜厚1.4-147.1$$mu$$g/cm$$^{2}$$(70$$sim$$7350${AA}$)の非晶質炭素薄膜標的へ入射させ、薄膜の前方及び後方に放出される二次電子収量をマイクロチャンネルプレートにより同期測定した。まず1.6v$$_{0}$$のC$$_{n}$$$$^{+}$$(n=2,3,4)を用いて、二次電子収量比R$$_{n}$$=$$gamma$$(C$$_{n}$$)/n$$gamma$$(C$$_{1}$$)の膜厚依存性を調べた。ここで$$gamma$$(C$$_{n}$$)と$$gamma$$(C$$_{1}$$)は、各々C$$_{n}$$$$^{+}$$とC$$_{1}$$$$^{+}$$衝突による二次電子収量である。前方に放出される場合には、$$sim$$5000オングストロームの膜厚で近接効果の消失が観測された。そこでC$$_{2}$$$$^{+}$$の場合について薄膜出口での解離イオンの核間距離を計算し、R$$_{2}$$の核間距離依存性を評価した。1.6v$$_{0}$$では近接効果が消失する解離イオンの核間距離は$$sim$$30オングストロームとなった。一方、電子励起過程の近接効果は$$sim$$オングストロームの核間距離で消失することが報告されている。したがって、これは二次電子放出の近接効果が電子励起過程以外にも起因していることを示唆する。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

日本物理学会第64回年次大会

開催年月

 :

2009/03

開催都市

 :

東京

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

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PDF

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論文URL

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研究データの公開先DOI

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使用施設

 :

TIARA(イオン照射研究施設)

広報プレスリリース

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