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Si(111)$$sqrt{21}timessqrt{21}$$-(Au,Ag)構造の相転移

Phase transition of Ag-Au coadsorbed Si(111) surfaces

城戸 望*; 一宮 彪彦; 松田 巌*; 深谷 有喜   

Kido, Nozomi*; Ichimiya, Ayahiko; Matsuda, Iwao*; Fukaya, Yuki

Si(111)表面上に形成される$$sqrt{21}timessqrt{21}$$構造(以下$$sqrt{21}$$構造)は$$sqrt{3}timessqrt{3}$$構造(以下$$sqrt{3}$$構造)に相転移することが知られている。本研究ではSi(111)$$sqrt{21}timessqrt{21}$$-(Au,Ag)表面からの反射高速電子回折(RHEED)強度の温度依存性から相転移における構造変化を調べた。$$sqrt{21}$$構造からのRHEED図形における(15/21 18/21)スポット強度の基板温度依存性を測定した結果、強度は室温から100$$^{circ}$$Cまでは一定、それ以上の基板温度で徐々に減少し270$$^{circ}$$Cにおいて消滅し、$$sqrt{3}$$構造となる。この温度からゆっくり室温に向かって温度を下降させると、相転移温度以下でも$$sqrt{3}$$構造を保ち、230$$^{circ}$$Cから$$sqrt{21}$$構造によるスポットが現れる。このことは$$sqrt{3}$$相から$$sqrt{21}$$相への相転移では$$sqrt{21}$$相の核生成を必要とすると考えられる。したがって、この相転移は1次相転移と結論できる。Au蒸着量が0.14ML以下における$$sqrt{21}$$構造は$$sqrt{3}$$-Ag表面の一部を被覆しており、$$sqrt{3}$$構造との境界線上のAu原子は移動しやすいことが知られている。この条件では、相転移温度は低下することを今回見いだした。

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