/Si by ion implantation高廣 克己*; 水口 友貴*; 一色 俊之*; 西尾 弘司*; 西山 文隆*; 山本 春也; 笹瀬 雅人*
Takahiro, Katsumi*; Ninakuchi, Yuki*; Isshiki, Toshiyuki*; Nishio, Koji*; Nishiyama, Fumitaka*; Yamamoto, Shunya; Sasase, Masato*
金属酸化物などの誘電体中に埋め込まれた金属ナノ粒子は、バルクとは異なる光学的,電気的,磁気的性質を示すことから次世代機能性材料として期待されている。特に金属ナノ粒子を用いた機能性材料創製において、単一サイズのナノ粒子をいかに高濃度に埋め込むかが課題となっている。本研究では、イオン注入法を用いて熱酸化Si膜中にAgイオン注入を行い、ラザフォード後方散乱法(RBS),X線光電子分光法(XPS),X線回折(XRD)及び透過電子顕微鏡(TEM)観察により、注入後の試料のキャラクタリゼーションを行った。その結果、注入Agイオンの投影飛程である125nm近傍にAgが集中して存在し、粒径30nm程度のAg粒子が規則的に2次元配列していることがわかった。今回、金属ナノ粒子特有の性質の発現が期待できるAgナノ粒子の規則的な2次元配列の形成に成功したので報告する。
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: | Japanese |
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: | 2009/05 |
開催都市 |
: | 仙台 |
開催国 |
: | 日本 |
キーワード |
: | no keyword |
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