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Vicinage effect on secondary-electron emission from amorphous carbon foils induced by swift C$$_{2}$$$$^{+}$$ ions

高速C$$_{2}$$$$^{+}$$イオン衝突による炭素薄膜からの二次電子放出における近接効果

高橋 康之; 鳴海 一雅; 千葉 敦也; 齋藤 勇一; 山田 圭介; 石川 法人   ; 須貝 宏行; 前田 佳均

Takahashi, Yasuyuki; Narumi, Kazumasa; Chiba, Atsuya; Saito, Yuichi; Yamada, Keisuke; Ishikawa, Norito; Sugai, Hiroyuki; Maeda, Yoshihito

62.5-250keV/uのC$$_{2}$$$$^{+}$$をビーム軸に対して45$$^{circ}$$傾けて設置した膜厚1.4-150$$mu$$g/cm$$^{2}$$(70-7500${AA}$)の炭素薄膜標的へ入射し、薄膜の前後方向に放出される二次電子の収量をMCP検出器により同時測定した。近接効果は二次電子収量比R$$_{2}$$=$$gamma$$$$_{2}$$/2$$gamma$$$$_{1}$$により評価した。ここで$$gamma$$$$_{2}$$と$$gamma$$$$_{1}$$は各々C$$_{2}$$$$^{+}$$とC$$_{1}$$$$^{+}$$衝突による二次電子収量である。62.5keV/uでは膜厚61-150$$mu$$g/cm$$^{2}$$において前方で近接効果の消失(R$$_{2}$$=1)を初めて観測した。軌道計算によりR$$_{2}$$の核間距離依存性を評価した結果、62.5keV/uでは近接効果が消失するしきい核間距離が0.6-2.3nmに存在することが明らかになった。またしきい核間距離は速度とともに増加し、250keV/uでは核間距離が7nmに達しても近接効果が発現することがわかった。この結果は、電子励起過程の近接効果が消失する核間距離より十分大きく、近接効果の発現機構が励起電子の輸送過程や透過過程にも起因することを示す。輸送過程において、解離イオンの電荷に応じて誘起されるポテンシャルによる励起電子の捕獲・散乱の二次電子放出の抑制モデルを検討した。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

巻

 :

号

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ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

19th International Conference on Ion Beam Analysis (IBA 2009)

開催年月

 :

2009/09

開催都市

 :

Combridge

開催国

 :

U.K.

キーワード

 :

no keyword

特許データ

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PDF

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論文URL

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研究データの公開先DOI

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使用施設

 :

TIARA(イオン照射研究施設)

広報プレスリリース

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