Growth of single crystal PrFeAsO and its transport properties

PrFeAsOの単結晶育成と輸送特性

石角 元志; 社本 真一  ; 鬼頭 聖*; 伊豫 彰*; 永崎 洋*; 伊藤 利充*; 富岡 泰秀*

Ishikado, Motoyuki; Shamoto, Shinichi; Kito, Hijiri*; Iyo, Akira*; Eisaki, Hiroshi*; Ito, Toshimitsu*; Tomioka, Yasuhide*

ベルト型高圧合成装置を用いて酸素欠損オキシニクタイド化合物超伝導体PrFeAsOの単結晶を育成した。育成した結晶は光沢状の表面を有する。典型的な結晶の大きさは800100020mmで、これまでに報告されているLnFeAs(O,F)単結晶より一桁程度大きい。磁場下電気抵抗測定から得た上部臨界磁場より異方性は5とわかったが、これは他のグループの報告している結果と一致している。講演では単結晶のドーピング制御の方法と異方性のドーピング依存性について話す。

Single crystals of oxygen deficient oxypnictide superconductor PrFeAsO were grown by high pressure method using belt-type anvil apparatus. Grown crystals have shiny ab-plane surfaces. Typical crystal size is about 800100020 mm, which is one order larger than the previous reported LnFeAs(O,F) single crystal size. Upper critical field obtained from resistivity measurement under magnetic field yields anisotropy of 5, which is consistent with other group's reported result. In the session, we will talk details of the method of doping control of the single crystal and doping dependences of anisotropy.