PrFeAsOの単結晶育成と輸送特性,2

Growth of single cystal PrFeAsO and transport properties, 2

石角 元志; 社本 真一  ; 鬼頭 聖*; 伊豫 彰*; 永崎 洋*; 伊藤 利充*; 富岡 泰秀*

Ishikado, Motoyuki; Shamoto, Shinichi; Kito, Hijiri*; Iyo, Akira*; Eisaki, Hiroshi*; Ito, Toshimitsu*; Tomioka, Yasuhide*

前回の学会においてわれわれはベルト型高圧合成装置を用いて酸素欠損オキシニクタイド高温超伝導体PrFeAsOの単結晶育成を行い、磁場中電気抵抗率測定から異方性の評価を行った。上部臨界磁場(H)の異方性は 5程度であり他のグループにより報告されている値とも一致した。本研究では育成したPrFeAsO単結晶試料の酸素量を調整することによりドーピング量を制御することに成功した。われわれはドーピング量を制御した単結晶試料を用いて磁場中電気抵抗測定を行い、再びHの異方性を見積ったところ異方性はほぼドーピングによらないことがわかった。講演ではドーピング量の制御法,電気抵抗・XRDなどの試料評価,異方性の見積りについての詳細を報告する。

In the previous meeting, we have grown single crystals of oxygen deficient oxypnictide high temperature superconductor PrFeAsO, and characterized anisotropy from resistivity under magnetic field. Anisotropy of upper critical field (H) is 5 and is consistent with other group's reported value. In this study, we succeeded to control doping by adjusting the oxygen content. We measured resistivity under magnetic field and estimated anisotropy of the doping controled single crystals, and revealed that anisotropy is not doping dependent. In the session, we report details of doping control, characterization such as resistivity and XRD, estimation of anisotropy.