Electronic structure near the surface region in the ternary transition metal alloy TiVCr by photoemission spectroscopy

光電子分光による三元遷移金属合金TiVCrの表面領域近傍の電子状態

春山 雄一*; 寺岡 有殿; 松井 真二*

Haruyama, Yuichi*; Teraoka, Yuden; Matsui, Shinji*

本研究では三元遷移金属合金TiVCrの表面近傍での化学組成と電子構造を光電子分光で調べた。TiVCrの光電子スペクトルは昇温温度と光子エネルギーの関数として測定された。昇温温度が高くなるに従って、Tiの強度は増加した。このことは成分遷移金属が昇温によって再構成を起こしていることを示唆している。各遷移金属の3p-3d共鳴光電子エネルギー領域での一定初期状態スペクトルとエネルギー分布曲線の光子エネルギー依存性から、価電子帯領域で観測された特徴から電子軌道の性質が明らかにされた。

In this study, we have investigated the chemical composition and the electronic structure near surface region in the ternary transition metal alloy TiVCr by means of photoemission spectroscopy. The photoemission spectra in TiVCr were measured as a function of annealing temperature and photon energy. With increasing annealing temperature, the intensity originating from Ti increased. This indicates that the redistribution of the constituent transition metals was caused by the annealing. From the photon energy dependence of the energy distribution curves and constant initial state spectra in the 3p-3d resonant photoemission region of each transition metal, the orbital character of the observed features in the valence band region was clarified.