200keV電子線照射によるAlドープ4H-SiC中の正孔密度の減少機構

Mechanism of reduction of hole concentration in Al-doped 4H-SiC by 200keV electron irradiations

松浦 秀治*; 蓑原 伸正*; 小野田 忍; 大島 武

Matsuura, Hideharu*; Minohara, Nobumasa*; Onoda, Shinobu; Oshima, Takeshi

Al(アルミニウム)を添加した4H-SiCに対して、200keVの電子線を照射し、照射前後の正孔密度を測定した。FCCS(Free Carrier Concentration Spectroscopy)法を用いて、アクセプタ密度,アクセプタ準位,深い欠陥の密度を求めた。その結果、E+0.2eVのAlアクセプタと、E+0.37eVの深いアクセプタが検出され、アクセプタは2種類あることがわかった。本研究では、Alアクセプタ密度の減少割合がアクセプタ密度に比例すると仮定するとともに、深い欠陥順位がC vacancyとAlとで形成されたAl-Vc複合欠陥に起因すると仮定することで、照射量とAlアクセプタ密度及び深い準位密度の関係から、それぞれの損傷係数を導出することに成功した。

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