宇宙用0.15m SOI-ASIC耐放射線強化論理セルライブラリの開発と評価

Evaluation and development of a radiation hardness-by-design library for 0.15m SOI-ASIC

新藤 浩之*; 丸 明史*; 久保山 智司*; 小野田 忍; 平尾 敏雄; 大島 武

Shindo, Hiroyuki*; Maru, Akifumi*; Kuboyama, Satoshi*; Onoda, Shinobu; Hirao, Toshio; Oshima, Takeshi

宇宙航空研究開発機構においては、論理セルライブラリとして、42種類の順序回路,293種類の組合せ回路,I/O部回路,メモリ回路から構成される、宇宙用SOI(Silicon on Insulator)-ASIC(Application Specific Integrated Circuit)の開発を進めている。これらを構築するために必要となるLatch回路,Flip/Flop回路,SRAM回路を搭載した評価用チップに対してイオン照射実験を行った。D-Flip/FLop回路に対するXeイオン照射試験の結果から、回路内部のインバータループ部は非常に高い耐放射線性を示すことがわかった。しかし、内部クロックバッファで発生したSET(Single Event Transient)起因のSEU(Single EventUpset)が観測されたことから、当該部分に対して、耐放射線性強化技術を施す必要があることが明らかとなった。

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