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Siイオン注入による紫外発光する石英基板の作製と高温アニールによる発光強度の増大

Fabrication of UV light-emitting fused-silica substrates by Si-ion implantation and increase of light-emitting intensity by thermal annealing

三浦 健太*; 本美 勝史*; 花泉 修*; 山本 春也; 杉本 雅樹; 吉川 正人; 井上 愛知

Miura, Kenta*; Hommi, Masashi*; Hanaizumi, Osamu*; Yamamoto, Shunya; Sugimoto, Masaki; Yoshikawa, Masahito; Inoue, Aichi

近年、量子閉じ込め効果を利用したSi系発光材料が注目され、その一種であるSiナノクリスタルは、SiとSiO$$_{2}$$との同時スパッタ,SiO$$_{2}$$媒質へのSiイオン注入等の手法により作製されている。本研究では、溶融SiO$$_{2}$$基板へのSiイオンの照射量を変えることによって、紫外域である波長370nm付近に発光ピークが発現することを新たに見いだしたので報告する。溶融SiO$$_{2}$$基板へのSiイオン注入は、TIARA内の400kVイオン注入装置を用いて行った。Siイオン照射条件は、エネルギー80keV,照射量2$$times$$10$$^{17}$$ions/cm$$^{2}$$とし、室温で照射した試料を1100, 1200, 1250$$^{circ}$$Cでアニール処理後にフォトルミネッセンス(PL)スペクトルを測定した結果、アニール温度によらず、波長370nm付近をピークとする紫外発光ピークが観測され、そのピーク強度は、アニール温度1250$$^{circ}$$Cで最大となることを見いだした。本研究で見いだされた紫外発光ピークは、単一の発光ピークであるため新たな紫外発光材料・基板としての応用が期待できる。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

第4回高崎量子応用研究シンポジウム

開催年月

 :

2009/10

開催都市

 :

高崎

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

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PDF

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論文URL

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研究データの公開先DOI

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使用施設

 :

TIARA(イオン照射研究施設)

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

群馬大学

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