シリコン中のフッ素-空孔欠陥の電子スピン共鳴観察

EPR study of fluorine-vacancy defects in silicon

Umeda, Takahide*; Isoya, Junichi*; Oshima, Takeshi; Onoda, Shinobu; Morishita, Norio

シリコン(Si)半導体中のフッ素(F)関連欠陥の構造を同定するため、チョコラルスキー法で作製したSi基板へ7.515MeVのエネルギーでFを10 $^{15}$ 10 $^{20}$ /cm $^{3}$ の濃度導入し、電子スピン共鳴(ESR)を用いて生成される欠陥を調べた。その結果、F0, F3, F4とラベルつけされた欠陥シグナルが観測された。EPR分光の特長である微視的起源解析の結果、これらはFと空孔(V)の結合した複合欠陥(F $_{n}$ V $_{m}$ )であり、その空孔欠陥がV $_{2}$ 又はV $_{4}$ 程度に相当する構造を有することが明らかとなった。

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使用言語	:	Japanese
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発行年月	:
発表会議名	:	2010年(平成22年)春季第57回応用物理学関係連合講演会
開催年月	:	2010/03
開催都市	:	平塚
開催国	:	日本
キーワード	:	no keyword

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使用施設	:	TIARA(イオン照射研究施設)
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受委託・共同研究相手機関	:	筑波大学

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登録番号 : BB20093099
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