Application of magnetic Compton scattering for spin-specific magnetic hysteresis measurement

磁気コンプトン散乱によるスピン選択ヒステリシス測定

安居院 あかね; 櫻井 浩*; 田村 拓郎*; 倉知 俊誉*; 田中 真人*; 安達 弘通*; 河田 洋*

Agui, Akane; Sakurai, Hiroshi*; Tamura, Takuro*; Kurachi, Toshitaka*; Tanaka, Masahito*; Adachi, Hiromichi*; Kawata, Hiroshi*

磁気コンプトン散乱強度には電子のスピン成分のみが寄与することが知られている。われわれは、この特色を利用し、その磁場変化から磁性電子の「スピン選択ヒステリシス」を観測することを試みた。試料はTbCoアモルファス膜を試料としテスト実験を行った。磁気コンプトン散乱実験はKEK-PF-AR・NE1Aの50keVの(楕)円偏光X線を試料に照射し、試料温度は室温で行った。磁場は超伝導マグネットを用い膜面垂直に印加した。散乱強度の磁場依存性測定は-2T2Tの範囲で60秒積算ごとに磁場を反転させ計測した。この方法によって磁気コンプトン散乱強度の磁化曲線を測定することができた。この測定はスピン磁気モーメントを選択的に測定する方法として薄膜試料でも十分な検出精度があることが示された。

An application of magnetic Compton scattering as a new tool to measure a spin-specific magnetic hysteresis loop was introduced and demonstrated its validity. The applied magnetic field dependence of the integrated intensity of magnetic Compton scattering spectra was interpreted as the spin-specific hysteresis in this study.