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酸化タングステン薄膜の照射効果とスパッタリングの入射イオン電荷効果

Ion irradiation effects on tungsten-oxide films and charge state effect on electronic erosion

松波 紀明*; 左高 正雄; 岡安 悟  ; 垣内田 洋*

Matsunami, Noriaki*; Sataka, Masao; Okayasu, Satoru; Kakiuchida, Hiroshi*

原子力科学研究所タンデム加速器を用いて酸化タングステン(WO$$_{3}$$)の高エネルギー重イオン(90MeV Niイオン)照射を行った。3$$times$$10$$^{12}$$cm$$^{-2}$$の照射量において酸化タングステン薄膜の非晶質化,バンドギャップのシフト,1.6$$mu$$付近での光吸収ピークが見られた。この照射において、酸化タングステンのスパッタリングによる固体の侵食量はイオンの平衡電荷(19+)での照射に対して、非平衡電荷(10+)での照射では減少していることがわかった。これにより、重イオンによる固体のスパッタリングにおいて入射イオン電荷依存性を見いだした。

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